研究会 | 開催日 | 連絡事項 |
第107回研究会 | 2023年2月24日(金) | 終了いたしました。 |
第108回研究会 | 2023年4月14日(金) | TKP東京駅大手町カンファレンスセンターにて ハイブリッド開催を予定 |
第109回研究会 | 2023年6月16日 or 30日 (金) |
ハイブリッド開催を予定 |
第110回研究会 | 2023年8月24日(金) | ハイブリッド開催を予定 |
第111回研究会 | 2023年10月 | ハイブリッド開催を予定 |
第112回研究会 | 2023年12月 | ハイブリッド開催を予定 |
「次世代パワー半導体材料のスライシング・ダイシング技術
〜SiC,GaNの切断/割断技術〜」
開催日時:2023年4月14日(金) 13:00〜17:00
会 場:ハイブリッド開催 TKP東京駅大手町カンファレンスセンター カンファレンスルーム22A
〒100-0004 東京都千代田区大手町1-8-1
KDDI大手町ビル 22F & Webex
開催案内:こちら(PDF:448KB)
Webexの使い方はこちら。
申込締切:2022年 4月 7日(木)
パワー半導体市場は,5G関連などの情報通信機器分野や,中国,欧州における自動車・電装分野の需要増加などもあり,大幅に増加している.その中でも大きな伸びを見込まれているのがSiC,GaN,Ga2O3等の次世代パワー半導体である.本研究会では,次世代パワー半導体材料の切断/割断技術に注目して,次世代パワー半導体切断のエキスパートをお招きし,最新のスライシング,ダイシング技術についてご講演をいただきます.
13:00〜13:05 | 開会挨拶 | |
13:05〜13:55 | SiCウエハのレーザスライシング技術 | 埼玉大学 山田 洋平 氏 |
13:55〜14:45 | GaNウエハのレーザスライシング技術 | 名古屋大学 田中 敦之 氏 |
14:45〜15:05 | <休憩> | |
15:05〜15:55 | パワー半導体デバイスのレーザダイシング技術 | 浜松ホトニクス株式会社 飯田 哲也 氏 |
15:55〜16:45 | 割断を応用した化合物半導体(SiC)の結晶へき開型切断加工 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 北市 充 氏 |
16:45〜16:50 | 閉会挨拶・事務連絡 | |
17:15〜 19:15 |
技術交流会(予定) | |
司会・企画担当 | 高嶋 和彦 委員(華為技術日本)、小山 浩 委員(日本工業出版) 伊東 利洋 委員(Z-CSET) |
「オンマシン計測技術を利用した先端加工
〜オンマシン計測の最新動向〜」
開催日時:2023年 6月16日(金)or 6月30日(金)13:00〜17:00予定
会 場:ハイブリッド開催を予定
参加受付期間:2023年4月17日(月)〜2023年6月8日(金)※期間外は受け付けておりません。
※新型コロナウイルス感染状況によっては開催日時・形式・内容が変更になる場合がございます。
講演1 | (調整中) | 調整中 |
講演2 | (調整中) | 調整中 |
講演3 | (調整中) | 調整中 |
講演4 | (調整中) | 調整中 |
〒338-8570
埼玉県さいたま市桜区下大久保255
埼玉大学理工学研究科
生産環境科学研究室気付
FAX:048-858-3709
Mail:
sf-office@mech.saitama-u.ac.jp