研究会 | 開催日 | 連絡事項 |
第107回研究会 | 2023年2月24日(金) | 終了いたしました。参加者75名 |
第108回研究会 | 2023年4月14日(金) | 終了いたしました。参加者123名 |
互換共催 精密工学会 生産原論専門委員会 |
2023年6月1日(木) | 終了いたしました。 |
第109回研究会 | 2023年6月30日(金) | 終了いたしました。参加者113名 |
協賛 精密工学会 生産原論専門委員会 |
2023年8月22日(火) | 終了いたしました。 |
第110回研究会 | 2023年8月24日(金) | 終了いたしました。参加者92名 |
第111回研究会 | 2023年10月20日(金) | 終了いたしました。参加者91名 |
第112回研究会 | 2023年12月8日(金)~ 2023年12月9日(土) |
㈱リガク様 東京工場 見学会付き,2日間開催となります. 研究会についてはハイブリッド開催を予定 |
「SiC,GaN先進パワー半導体基板の加工・評価技術最前線(見学会付き)
~加工方法と加工変質層の深さとの関わり,及びその評価方法について~」
開催日時:2023年12月8日(金) 13:00 ~ 2023年12月9日(土)12:00
会 場:ハイブリッド開催
【1日目】株式会社リガク 東京工場 セミナー室
〒196-8666 東京都昭島市松原町3-9-12
&Webex
技術交流会:18:00頃~立川駅周辺予定
【2日目】TKPスター貸会議室 立川 曙ビル4階 カンファレンスルーム4A
〒190-0012 東京都立川市曙町2-12-1 曙ビル4階
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開催案内:こちら(646 KB)
申込締切:2023年 11月22日(水)
2050年のカーボンニュートラル社会の実現にはEV化の推進や再生可能エネルギーの主力電源化が不可欠であり,SiC,GaNなどの先進パワー半導体を用いた高度なパワエレ技術の普及が重要となっている.そのため先進パワー半導体基板の量産化・低コスト化が強く望まれているが,これらは難加工材料でもあり,加工に時間がかかるため,製造コスト削減の障壁の一つとなっている.特にウエハの仕上げ加工における加工変質層の議論は非常に重要である.そこで,今回はSiC,GaNなどの先進パワー半導体基板の加工方法と加工変質層の深さとの関わり,及びその評価方法について各講師に講演していただく.
また,今回は㈱リガク様のご厚意により,㈱リガク東京向上の見学をさせていただくことになり,時間も1日では足りないため2日間開催となります.
12/8(金) 1日目 |
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13:00~13:05 | 開会挨拶 | |
13:05~13:55 | 表面改質を援用したGaN基板のテープ研磨 | 東北大学 水谷 正義 氏 |
13:55~14:45 | 先進半導体ウェハの研磨プロセス高度化に関する技術動向 | 斉藤光学製作所 千葉 翔吾 氏 |
14:45~14:55 | <休憩> | |
14:55~15:45 | X線回折法を用いた先進パワー半導体基板の結晶性評価 -XRD、XRC、XRT- | リガク 稲葉 克彦 氏 |
15:45~16:00 | 名刺交換・見学説明 | |
16:00~17:00 | 工場見学会 | |
17:00~17:45 | 移動(リガク東京工場~拝島駅~立川駅~交流会会場) | |
18:00~ | 技術交流会 | |
12/9(土) 2日目 |
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10:00~10:05 | 2日目開会挨拶 | |
10:05~10:55 | SiCウエハの大口径化と最新加工技術 | 東京精密 五十嵐 健二 氏 |
10:55~11:45 | ミラー電子式検査装置によるSiCウェーハ加工ダメージ非破壊管理の魅力 | 日立ハイテク 小林 健二 氏 |
11:45~11:55 | ||
司会・企画担当 | 河田 研治(元産総研)、加藤 智久(産総研)、 森田 晋也(東京電機大学) |
「仮題:超仕上げの温故知新 準備中」
開催日時:2024年 3月予定
会 場:ハイブリッド開催を予定
参加受付期間:2023年12月11日(月)~予定
※期間外は受け付けておりません。
講演1 | 準備中 | 講師調整中 |
講演2 | 準備中 | 講師調整中 |
講演3 | 準備中 | 講師調整中 |
見学会 | 準備中 |
〒338-8570
埼玉県さいたま市桜区下大久保255
埼玉大学理工学研究科
生産環境科学研究室気付
FAX:048-858-3709
Mail:
sf-office@mech.saitama-u.ac.jp